ЛЕГИРОВАНИЕ БАЗОВОГО МАТЕРИАЛА CDS ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CDS – CU2-XS
Keywords:
солнечных элемент, диффузия, сульфид кадмий, донор, фотоэлемент.Abstract
В статье рассмотрена нестабильность параметров солнечных элементов (СЭ) типа связана с окислением, изменением фазового состава , диффузией атомов меди из в , а также распадом пересыщенного твёрдого раствора собственных донорных дефектов в базовом материале [1].
References
(Разыков Т.М., Электронномикрозондовый анализ и деградация фотопреобразователей Cu2-xS – CdS. ., 1980,)
Торчинская Т.В., Мирзажанов М.А. Анализ элементарных механизмов деградatsiи гетеропреобразователей типа Cu2S – CdS. Experimentelle Technik der Physik. 1984, v.32, №2, рр. 175 – 181.
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К., Полупроводниковые гетеропереходы. //М.: Мир, 1979.
Зи С., Физика полупроводниковых приборов. //М.:Мир,1984.
Виноградов М.С., Туннельно-рекомбинatsiонные процессы в гетеропереходе сульфид кадмия - сульфид меди. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук. - Одесса, 1986.
Чопра К., Дас С.,Тонкопленочные солнечные элементы. //М.- Мир, 1986.
Борщак В.А., Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2 S фотопреобразователях. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук, Одесса,1991.
Борщак В.А., Василевский Д.Л., Токоперенос по локализованным состояниям в неидеальных гетероструктурах. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-1990. Вып. 17.
Василевский Д.Л., Борщак В.А., Сердюк В. В., Влияние туннельно-рекомбинatsiонного токопереноса на ЭДС холостого хода гетерофотоэлементов. // Фотоэлектроника.-1991. Вып.4.
Виноградов М.С, Борщак В.А., Василевский Д.Л., Туннельный механизм потерь в гетерофотоэлементах. //Электронная техника.-Сер.2: Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып. 1(186).
Василевский Д.Л., Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. //Фотоэлектроника.-1988. Вып.2.
Савелли М., Бугнот Дж. Проблемы создания фотоэлементов на основе CdS-Cu2 S. //Преобразование солнечной энергии. - М.: Энергоиздат, 1982.
Чибисов К.В. Общая фотография. //М.: Искусство, 1984.
Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: свойства материалов. //Киев: Наукова думка, 1975.
Василевский Д.Л., Вайтош Р., Нанаи Л., Перспективность CdS-Cu2 S фотопреобразователей при больших уровнях возбуждения. //Фотоэлектроника.-1990. Вып.3.
