МЕХАНИЗМЫ ЛАВИННОЙ ИНЖЕКЦИИ В ДИОДНЫХ ОБОСТРИТЕЛЯХ СУБНАНОСЕКУНДНОГО ДИАПОЗОНА
Abstract
При задержанном лавинном пробое в мощных высоковольтных p⁺–n–n⁺ структурах при быстром росте обратного напряжения (менее 100пс) происходит ударная ионизация, создающая в базе диода плотную электронно-дырочную плазму. Напряжение при этом может превышать обычное лавинное напряжение почти в два раза.
References
1.Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Ed., Wiley, 2006.
2.Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, в.15, с.950–953.
3. Tagaev M., Abdreymov A. Modern state of physics in the research of microplasma breakdown in silicon p-n junctions and diodes and schottky. 2023 EPRA.IJRD|Journal.DOI:https://doi.org/10.36713/epra.2016.
4.Гусев А.И., Ляпутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. ФТП., 2014, т.48, в.8, с.1095–1106.
5.Kardo - Sysoev A.F. Ultra-Wideband Radar Technology, Ed. J.D. Taylor, CRC Press, 2001.
